onsemi (Ansemi)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FFSH20120A
1.2kV 30A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide Schottky diode
Nombor Bahagian
FFSH20120A
kategori
diode > Schottky diode
Pengeluar/Jenama
onsemi (Ansemi)
Enkapsulasi
TO-247-2
Pembungkusan
Tube
Bilangan pakej
30
Penerangan
Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. Silicon carbide's no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance make it a next-generation power semiconductor product. System benefits include highest energy efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 90266 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
650V 11.5A 1.5V@10A Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 650 V
onsemi (Ansemi)
FFSH20120ADN-F155 SiC Diode - 1200V, 20A, TO-247-3, Common Cathode
onsemi (Ansemi)
650V 36A 1.5V@30A Automotive Silicon carbide (SiC) Schottky diode, 650 V
onsemi (Ansemi)
650V 22.3A 1.38V@20A Automotive Silicon carbide (SiC) Schottky diode, 650 V
onsemi (Ansemi)
Kata kunci daripada FFSH20120A
FFSH20120A Komponen elektronik
FFSH20120A Jualan
FFSH20120A Pembekal
FFSH20120A Pengedar
FFSH20120A Jadual data
FFSH20120A Foto
FFSH20120A harga
FFSH20120A Tawaran
FFSH20120A Harga terendah
FFSH20120A Cari
FFSH20120A Membeli
FFSH20120A Chip