AGM-Semi (core control source)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
AGM302C1 N-channel 30V 115A 2.2mΩ

AGM302C1

N-channel 30V 115A 2.2mΩ
Nombor Bahagian
AGM302C1
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
AGM-Semi (core control source)
Enkapsulasi
TO-220C
Pembungkusan
Tube
Bilangan pakej
50
Penerangan
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 115A Power (Pd): 80W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 100nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 84211 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada AGM302C1
AGM302C1 Komponen elektronik
AGM302C1 Jualan
AGM302C1 Pembekal
AGM302C1 Pengedar
AGM302C1 Jadual data
AGM302C1 Foto
AGM302C1 harga
AGM302C1 Tawaran
AGM302C1 Harga terendah
AGM302C1 Cari
AGM302C1 Membeli
AGM302C1 Chip