Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V
Nombor Bahagian
SIDR680DP-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8DC
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
80V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
105nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5150pF @ 40V
Vgs (Maks)
±20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
7.5V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 21200 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIDR680DP-T1-GE3
SIDR680DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIDR680DP-T1-GE3 Jualan
SIDR680DP-T1-GE3 Pembekal
SIDR680DP-T1-GE3 Pengedar
SIDR680DP-T1-GE3 Jadual data
SIDR680DP-T1-GE3 Foto
SIDR680DP-T1-GE3 harga
SIDR680DP-T1-GE3 Tawaran
SIDR680DP-T1-GE3 Harga terendah
SIDR680DP-T1-GE3 Cari
SIDR680DP-T1-GE3 Membeli
SIDR680DP-T1-GE3 Chip