FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Nombor Bahagian
FQD12N20LTM
Pengeluar/Jenama
Siri
QFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
D-Pak
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1080pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 5311 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada FQD12N20LTM
FQD12N20LTM Komponen elektronik
FQD12N20LTM Jualan
FQD12N20LTM Pembekal
FQD12N20LTM Pengedar
FQD12N20LTM Jadual data
FQD12N20LTM Foto
FQD12N20LTM harga
FQD12N20LTM Tawaran
FQD12N20LTM Harga terendah
FQD12N20LTM Cari
FQD12N20LTM Membeli
FQD12N20LTM Chip