Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Nombor Bahagian
FQB19N10LTM
Pengeluar/Jenama
Siri
QFET®
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
870pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 26846 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada FQB19N10LTM
FQB19N10LTM Komponen elektronik
FQB19N10LTM Jualan
FQB19N10LTM Pembekal
FQB19N10LTM Pengedar
FQB19N10LTM Jadual data
FQB19N10LTM Foto
FQB19N10LTM harga
FQB19N10LTM Tawaran
FQB19N10LTM Harga terendah
FQB19N10LTM Cari
FQB19N10LTM Membeli
FQB19N10LTM Chip