Beli Infineon Technologies SPB08P06PGATMA1 MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SPB08P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

Nombor Bahagian

SPB08P06PGATMA1

Pengeluar/Jenama

Infineon Technologies

Siri

SIPMOS®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pakej Peranti Pembekal

D²PAK (TO-263AB)

Pelesapan Kuasa (Maks)

42W (Tc)

Jenis FET

P-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

60V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

8.8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

13nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

420pF @ 25V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 23050 PCS

Maklumat perhubungan