Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IRFHM830TRPBF

IRFHM830TRPBF

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Nombor Bahagian
IRFHM830TRPBF
Pengeluar/Jenama
Siri
HEXFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-VQFN Exposed Pad
Pakej Peranti Pembekal
PQFN (3x3)
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.35V @ 50µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
31nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2155pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 21207 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IRFHM830TRPBF
IRFHM830TRPBF Komponen elektronik
IRFHM830TRPBF Jualan
IRFHM830TRPBF Pembekal
IRFHM830TRPBF Pengedar
IRFHM830TRPBF Jadual data
IRFHM830TRPBF Foto
IRFHM830TRPBF harga
IRFHM830TRPBF Tawaran
IRFHM830TRPBF Harga terendah
IRFHM830TRPBF Cari
IRFHM830TRPBF Membeli
IRFHM830TRPBF Chip