Beli Infineon Technologies IRF640NLPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

IRF640NLPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Nombor Bahagian

IRF640NLPBF

Pengeluar/Jenama

Infineon Technologies

Siri

HEXFET®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej / Kes

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pakej Peranti Pembekal

TO-262

Pelesapan Kuasa (Maks)

150W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

200V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

18A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

67nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1160pF @ 25V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 12641 PCS

Maklumat perhubungan