Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IRF5803D2PBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Nombor Bahagian
IRF5803D2PBF
Pengeluar/Jenama
Siri
FETKY™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakej Peranti Pembekal
8-SO
Pelesapan Kuasa (Maks)
2W (Ta)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
Schottky Diode (Isolated)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
3.4A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
37nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1110pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 12563 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IRF5803D2PBF
IRF5803D2PBF Komponen elektronik
IRF5803D2PBF Jualan
IRF5803D2PBF Pembekal
IRF5803D2PBF Pengedar
IRF5803D2PBF Jadual data
IRF5803D2PBF Foto
IRF5803D2PBF harga
IRF5803D2PBF Tawaran
IRF5803D2PBF Harga terendah
IRF5803D2PBF Cari
IRF5803D2PBF Membeli
IRF5803D2PBF Chip