Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPP048N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Nombor Bahagian
IPP048N12N3GXKSA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO220-3-1
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 230µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
182nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
12000pF @ 60V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 28218 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPP048N12N3GXKSA1
IPP048N12N3GXKSA1 Komponen elektronik
IPP048N12N3GXKSA1 Jualan
IPP048N12N3GXKSA1 Pembekal
IPP048N12N3GXKSA1 Pengedar
IPP048N12N3GXKSA1 Jadual data
IPP048N12N3GXKSA1 Foto
IPP048N12N3GXKSA1 harga
IPP048N12N3GXKSA1 Tawaran
IPP048N12N3GXKSA1 Harga terendah
IPP048N12N3GXKSA1 Cari
IPP048N12N3GXKSA1 Membeli
IPP048N12N3GXKSA1 Chip