Beli Infineon Technologies IPD65R380E6ATMA1 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

IPD65R380E6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Nombor Bahagian

IPD65R380E6ATMA1

Pengeluar/Jenama

Infineon Technologies

Siri

CoolMOS™ E6

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pakej Peranti Pembekal

PG-TO252-3

Pelesapan Kuasa (Maks)

83W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

650V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

10.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 320µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

39nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

710pF @ 100V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 42091 PCS

Maklumat perhubungan