IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD082N10N3GATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 75µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
55nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3980pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 39203 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPD082N10N3GATMA1
IPD082N10N3GATMA1 Komponen elektronik
IPD082N10N3GATMA1 Jualan
IPD082N10N3GATMA1 Pembekal
IPD082N10N3GATMA1 Pengedar
IPD082N10N3GATMA1 Jadual data
IPD082N10N3GATMA1 Foto
IPD082N10N3GATMA1 harga
IPD082N10N3GATMA1 Tawaran
IPD082N10N3GATMA1 Harga terendah
IPD082N10N3GATMA1 Cari
IPD082N10N3GATMA1 Membeli
IPD082N10N3GATMA1 Chip