Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB80N06S2L09ATMA2
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3-2
Pelesapan Kuasa (Maks)
190W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
55V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 125µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
105nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2620pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 53813 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB80N06S2L09ATMA2
IPB80N06S2L09ATMA2 Komponen elektronik
IPB80N06S2L09ATMA2 Jualan
IPB80N06S2L09ATMA2 Pembekal
IPB80N06S2L09ATMA2 Pengedar
IPB80N06S2L09ATMA2 Jadual data
IPB80N06S2L09ATMA2 Foto
IPB80N06S2L09ATMA2 harga
IPB80N06S2L09ATMA2 Tawaran
IPB80N06S2L09ATMA2 Harga terendah
IPB80N06S2L09ATMA2 Cari
IPB80N06S2L09ATMA2 Membeli
IPB80N06S2L09ATMA2 Chip