Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB60R199CPAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Nombor Bahagian
IPB60R199CPAATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Status Bahagian
Not For New Designs
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
139W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
16A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
43nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1520pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 18921 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB60R199CPAATMA1
IPB60R199CPAATMA1 Komponen elektronik
IPB60R199CPAATMA1 Jualan
IPB60R199CPAATMA1 Pembekal
IPB60R199CPAATMA1 Pengedar
IPB60R199CPAATMA1 Jadual data
IPB60R199CPAATMA1 Foto
IPB60R199CPAATMA1 harga
IPB60R199CPAATMA1 Tawaran
IPB60R199CPAATMA1 Harga terendah
IPB60R199CPAATMA1 Cari
IPB60R199CPAATMA1 Membeli
IPB60R199CPAATMA1 Chip