Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB100N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB100N08S207ATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3-2
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
75V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
200nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4700pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 28081 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB100N08S207ATMA1
IPB100N08S207ATMA1 Komponen elektronik
IPB100N08S207ATMA1 Jualan
IPB100N08S207ATMA1 Pembekal
IPB100N08S207ATMA1 Pengedar
IPB100N08S207ATMA1 Jadual data
IPB100N08S207ATMA1 Foto
IPB100N08S207ATMA1 harga
IPB100N08S207ATMA1 Tawaran
IPB100N08S207ATMA1 Harga terendah
IPB100N08S207ATMA1 Cari
IPB100N08S207ATMA1 Membeli
IPB100N08S207ATMA1 Chip