IPB048N06LGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Nombor Bahagian
IPB048N06LGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 270µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
225nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7600pF @ 30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 19688 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB048N06LGATMA1
IPB048N06LGATMA1 Komponen elektronik
IPB048N06LGATMA1 Jualan
IPB048N06LGATMA1 Pembekal
IPB048N06LGATMA1 Pengedar
IPB048N06LGATMA1 Jadual data
IPB048N06LGATMA1 Foto
IPB048N06LGATMA1 harga
IPB048N06LGATMA1 Tawaran
IPB048N06LGATMA1 Harga terendah
IPB048N06LGATMA1 Cari
IPB048N06LGATMA1 Membeli
IPB048N06LGATMA1 Chip