Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
Nombor Bahagian
IPB042N03LGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
79W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
70A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
38nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3900pF @ 15V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 33278 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IPB042N03LGATMA1
IPB042N03LGATMA1 Komponen elektronik
IPB042N03LGATMA1 Jualan
IPB042N03LGATMA1 Pembekal
IPB042N03LGATMA1 Pengedar
IPB042N03LGATMA1 Jadual data
IPB042N03LGATMA1 Foto
IPB042N03LGATMA1 harga
IPB042N03LGATMA1 Tawaran
IPB042N03LGATMA1 Harga terendah
IPB042N03LGATMA1 Cari
IPB042N03LGATMA1 Membeli
IPB042N03LGATMA1 Chip