BSC886N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
Nombor Bahagian
BSC886N03LSGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
PG-TDSON-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2100pF @ 15V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 16194 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada BSC886N03LSGATMA1
BSC886N03LSGATMA1 Komponen elektronik
BSC886N03LSGATMA1 Jualan
BSC886N03LSGATMA1 Pembekal
BSC886N03LSGATMA1 Pengedar
BSC886N03LSGATMA1 Jadual data
BSC886N03LSGATMA1 Foto
BSC886N03LSGATMA1 harga
BSC886N03LSGATMA1 Tawaran
BSC886N03LSGATMA1 Harga terendah
BSC886N03LSGATMA1 Cari
BSC886N03LSGATMA1 Membeli
BSC886N03LSGATMA1 Chip